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ε-Ga2O3m-GaNHEMT相关论文
Ga2O3/GaN相关FET中电流崩塌效应研究
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
学位
Ga2O3
ε-Ga2O3/m-GaN HEMT
电流崩塌效应
补偿掺杂
场板
CAVET
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